| 发明名称 | 半导体结构及其制作方法 | ||
| 摘要 | |||
| 申请公布号 | TWI492345 | 申请公布日期 | 2015.07.11 |
| 申请号 | TW102113615 | 申请日期 | 2013.04.17 |
| 申请人 | 财团法人工业技术研究院 | 发明人 | 陈尙骏;林哲歆;辛毓真 |
| 分类号 | H01L23/48;H01L21/768 | 主分类号 | H01L23/48 |
| 代理机构 | 代理人 | 詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;叶璟宗 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1 | |
| 主权项 | 一种半导体结构，包括：一基材，具有一第一表面、一第二表面相对于该第一表面、以及至少一贯穿该基材的贯孔，其中该基材在该贯孔处包含：一第一侧壁部份，连接至该基材的该第一表面，该第一侧壁部份具有多个第一凸起，该些第一凸起规律地分布于该第一侧壁部份的表面；以及一第二侧壁部份，连接至该基材的该第二表面，该第二侧壁部份具有一平面，该平面与该第二表面形成一角度；一元件层，位于该基材的该第二表面上，且该基材的该第二侧壁部份沿该平面进一步延伸至该元件层内；以及至少一导电柱，位于该贯孔中，其中该导电柱与该元件层电性连接。 | ||
| 地址 | 新竹县竹东镇中兴路4段195号 | ||