发明名称 |
场效电晶体的制造方法、场效电晶体以及显示装置的制造方法 |
摘要 |
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申请公布号 |
TWI492312 |
申请公布日期 |
2015.07.11 |
申请号 |
TW099116086 |
申请日期 |
2010.05.20 |
申请人 |
富士软片股份有限公司 |
发明人 |
多田宏;小糸直希 |
分类号 |
H01L21/336;H01L29/78;G09F9/00 |
主分类号 |
H01L21/336 |
代理机构 |
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代理人 |
詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;萧锡清 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1 |
主权项 |
一种制造顶部接触场效电晶体之方法,所述顶部接触场效电晶体包括基板、闸电极、闸极绝缘膜、包括氧化物半导体作为主要组份之作用层、保护层、源电极以及汲电极,所述方法包括:在所述作用层上形成所述保护层;在所述保护层上形成光阻膜;图案化曝光所述光阻膜;以及使用硷性显影液体显影所述光阻膜以形成光阻图案,且自所述保护层移除由所述光阻图案暴露之区,其中所述保护层具有耐酸性及硷可溶性。 |
地址 |
日本 |