发明名称 场效电晶体的制造方法、场效电晶体以及显示装置的制造方法
摘要
申请公布号 TWI492312 申请公布日期 2015.07.11
申请号 TW099116086 申请日期 2010.05.20
申请人 富士软片股份有限公司 发明人 多田宏;小糸直希
分类号 H01L21/336;H01L29/78;G09F9/00 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人 詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;萧锡清 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1
主权项 一种制造顶部接触场效电晶体之方法,所述顶部接触场效电晶体包括基板、闸电极、闸极绝缘膜、包括氧化物半导体作为主要组份之作用层、保护层、源电极以及汲电极,所述方法包括:在所述作用层上形成所述保护层;在所述保护层上形成光阻膜;图案化曝光所述光阻膜;以及使用硷性显影液体显影所述光阻膜以形成光阻图案,且自所述保护层移除由所述光阻图案暴露之区,其中所述保护层具有耐酸性及硷可溶性。
地址 日本