发明名称 聚醯亚胺树脂、其制造方法、接着剂树脂组成物、覆盖膜及电路基板
摘要
申请公布号 TWI491644 申请公布日期 2015.07.11
申请号 TW099143646 申请日期 2010.12.14
申请人 新日铁住金化学股份有限公司 发明人 森亮;须藤芳树;中村幸二
分类号 C08G73/10;C09J179/08;C08K5/25;H05K3/28 主分类号 C08G73/10
代理机构 代理人 洪武雄 台北市中正区杭州南路1段15之1号9楼;陈昭诚 台北市中正区杭州南路1段15之1号9楼
主权项 一种聚醯亚胺树脂,其系藉由使具有下述通式(1)及(2)所示之构成单元: 且重量分子量为10,000至200,000之聚醯亚胺矽氧烷中的酮基、与具有至少2个1级胺基作为官能基之胺基化合物的胺基进行反应而形成C=N键,而具有使前述聚醯亚胺矽氧烷藉由前述胺基化合物交联而成之构造者,式中,各别地,Ar表示由芳香族四羧酸酐所衍生之4价芳香族基,R1表示由二胺基矽氧烷所衍生之2价二胺基矽氧烷残基,R2表示由芳香族二胺所衍生之2价芳香族二胺残基,于Ar及/或R2中含有前述酮基,m、n表示各构成单元之存在莫耳比,m为0.75至1.0的范围内,n为0至0.25之范围内,限制条件为,n为0时,于Ar中含前述酮基;其中,前述胺基化合物系以相对于前述聚醯亚胺矽氧烷中的前述酮基1莫耳,前述胺基化合物的前述胺基合计为0.004莫耳至1.5莫耳的范围内被调配;且 其中,前述C=N键之形成系使用傅立叶变换红外分光光度计,测定红外线吸收光谱,藉此可于1670cm-1附近确认源自聚醯亚胺矽氧烷的酮基之吸收峰的减少或消失,以及于1635cm-1附近确认源自亚胺基之吸收峰之显现。
地址 日本
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