| 主权项 |
一种电阻式随存记忆体之制作方法，包含：(a)于一基材上形成一第一电极；(b)于该第一电极上以一175℃至225℃的制程温度形成一氧化锆之可变电阻层；及(c)于该可变电阻层上形成一Ti的第二电极；其中，该步骤(b)之可变电阻层的形成是经由溅镀技术来完成；其中，相较于在一250℃之制程温度下所制得之氧化锆之可变电阻层，该步骤(b)在该175℃至225℃之制程温度下所制作的氧化锆之可变电阻层于写入态与抹除态之间的静态电阻转换循环次数，能在+1.5V至-2.5V之直流电压与10次/V之收集频率的测试条件下，至少提升至6800次。
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