| 主权项 |
一种贴合基板之制造方法，其系将第1基板与第2基板贴合，使前述第1基板薄膜化，以制造前述第2基板上具有薄膜之贴合基板的方法，其特征为：至少藉由从半导体基板之前述第1基板的表面注入氢离子或稀有气体离子或此等两者之形成离子注入层的步骤；前述第1基板的注入离子的面与前述第2基板贴合的面之至少一者的面施以表面活性化处理的步骤；前述第1基板的注入离子的面与前述第2基板贴合的面在湿度为30%以下及/或水分量为6g/m3以下的环境下贴合之贴合步骤；以及前述第1基板以前述离子注入层离间，使前述第1基板薄膜化之剥离步骤；以制造前述第2基板上具有薄膜之贴合基板，其中，前述第2基板中不包含单结晶矽，且选自石英基板、蓝宝石(氧化铝)基板、结晶化玻璃基板、氮化铝基板中之任一者。 |
