MULTI-LAYER METAL CONTACS

摘要

반도체 디바이스 내에 금속 콘택들을 형성하기 위한 방법은, 적어도 하나의 게이트 전극을 둘러싸는 제1 유전체 층 안에 제1-층 콘택을 형성하는 단계를 포함하며, 제1-층 콘택은 아래놓인 기판의 도핑된 영역으로 연장된다. 방법은, 제1 유전체 층 위에 제2 유전체 층을 형성하는 단계 및 제2 유전체 층을 통해 제1-층 콘택으로 연장되는 제2-층 콘택을 형성하는 단계를 더 포함한다.