| 摘要 |
1. Способ получения лазерного излучения на квантовых точках (КТ), включающий послойное выращивание на подложке GaAs молекулярно-пучковой эпитаксией буферного слоя GaAs, нижнего слоя сверхрешеток на основе соединений AlGaAs/GaAs волнового слоя GaAs, содержащего активную область на основе квантовых точек и квантовой ямы (устройство активной области, см. ниже), прикрывающего слоя, верхнего слоя сверхрешеток на основе AlGaAs/GaAs верхнего контактного слоя GaAs.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что активную область формируют последовательным осаждением при температуре подложки 485°C слоя InAs толщиной 0,6 нм при скорости его роста 0,03 нм/сек, выдерживают структуру в потоке мышьяка в течение 1 минуты для увеличения равномерности по размерам КТ, промежуточного слоя GaAs толщиной 3-10 нм, слоя InGaAs квантовой ямы с химическим составом 12-15% по индию при отношении потока мышьяка к потоку индия в пределах от 10.0 до 12.0.3. Устройство для получения лазерного излучения, включающее подложку GaAs, на которой последовательно выращены буферной слой GaAs, включающий нижний слой сверхрешеток на основе соединений AlGaAs//GaAs, волноводный слой GaAs с активной областью на основе КТ, а верхний слой сверхрешеток на основе соединений AlGaAs/GaAs и контактный слой GaAs.4. Устройство по п. 3, характеризующееся тем, что активная область содержит один слой КТ InAs, отделенной от КТ слоем GaAs толщиной 3-10 нм и связанная с квантовой ямой наноразмерной перемычкой (наномостиком) InGaAs. |
