| 摘要 |
<p>본 발명은 적어도 하나의 기초 자기층(elementary magnetic layer)을 가지는 적어도 하나의 비구조화된 저장매체(non-structured storage medium)를 포함하는 자기저장장치(magnetic storage device)에 관한 것으로, 상기 저장매체는 상기 매체의 평면(plane)에 수직인 자성(magnetisation)을 가지며, 상기 매체의 평면에 수직인 자성을 가지고 상기 저장매체의 역필드(reverse field) 보다 높은(higher) 역필드를 가지며 비자성 물질로 이루어진 분리층(decoupling layer)(47)에 의해 상기 저장매체로부터 분리되어 상기 저장매체에 쌍극 필드(dipolar field)를 발생하도록 하는 자기소자(magnetic elements)(46)를 포함하며, 상기 자기소자(46)는 비자성영역(non-magnetic region)(41)에 의해 서로 분리되어 있고, 각각의 자기소자(46)는 쓰기동작(write operation) 동안 상기 저장매체 내에 메모리 포인트(memory point)를 규정하는(define) 것을 특징으로 한다.</p> |
