AUF ANODISCHEM ALUMINIUMOXID BASIERENDE, LUFTSPALTBILDENDE TECHNIKEN FÜR VERBINDUNGSSTRUKTUREN

摘要

Über einem Halbleitersubstrat wird eine Aluminiumschicht (Al-Schicht) gebildet. Ein ausgewählter Abschnitt der Al-Schicht wird entfernt, um Öffnungen zu bilden. Die Al-Schicht wird anodisiert, um eine Aluminiumoxid-Dielektrikumschicht mit mehreren Poren zu erzielen, die im Wesentlichen senkrecht zu einer Oberfläche des Halbleitersubstrats liegen. Die Öffnungen werden mit einem leitfähigen Verbindungsmaterial gefüllt. Die Poren werden erweitert, um Luftspalte zu bilden und es wird eine obere Ätzstoppschicht über der Aluminiumoxid-Dielektrikumschicht gebildet.