发明名称 METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要 <p>주면측에 반도체 집적회로를 가지는 복수의 반도체 칩이 형성된 반도체 기판에, 개별 조각화된 반도체 칩을 적층하고, 다른 층의 반도체 칩끼리를 신호 전달 가능하게 접속한 후, 적층된 상기 반도체 칩 부분을 개별 조각화하는 반도체 장치의 제조방법으로서, 상기 반도체 기판의 상기 주면에 절연층을 형성하는 제1 단계;와, 주면측에 반도체 집적회로를 가지는 개별 조각화된 반도체 칩을, 상기 주면의 반대쪽면을 상기 절연층과 대향시켜, 상기 절연층을 통해 상기 반도체 기판에 형성된 반도체 칩에 적층하는 제 2 단계; 및 다른 층의 반도체 칩끼리의 신호 전달을 가능하게 하는 접속부를 형성하는 제 3 단계;를 가진다.</p>
申请公布号 KR101535611(B1) 申请公布日期 2015.07.09
申请号 KR20137023687 申请日期 2012.03.08
申请人 发明人
分类号 H01L25/00;H01L25/16 主分类号 H01L25/00
代理机构 代理人
主权项
地址