バリア層との適合性および洗浄性能が改良されたＣＭＰ後配合物

摘要

化学的機械的研磨（ＣＭＰ）後の残渣および汚染物質を有する超小型電子デバイスから、これらの残渣および汚染物質を洗浄するための洗浄組成物および方法。洗浄組成物は、少なくとも１つの第４級塩基と、少なくとも１つのアミンと、少なくとも１つのアゾール腐食防止剤と、少なくとも１つの還元剤と、少なくとも１つの溶媒とを含む。組成物は、超小型電子デバイスの表面からのＣＭＰ後残渣および汚染物質の非常に有効な洗浄を実現する一方、タンタルまたはチタニウムを実質的に含まないバリア層との適合性を有する。【選択図】 なし