发明名称 |
Vorstehende Kontakthöckerpads für Bond-auf-Leitungs-Prozessierung |
摘要 |
Eine Ausführungsform eines Geräts umfasst eine dielektrische Schicht in einem Halbleiterplättchen, eine Leiterbahn in der dielektrischen Schicht und ein vorstehendes Kontakthöckerpad auf der Leiterbahn. Das vorstehende Kontakthöckerpad erstreckt sich zumindest teilweise über die dielektrische Schicht, und das vorstehende Kontakthöckerpad hat eine Längsachse und eine Breitenachse. Ein Verhältnis von einer ersten Abmessung der Längsachse zu einer zweiten Abmessung der Breitenachse beträgt etwa 0,8 bis etwa 1,2. |
申请公布号 |
DE102014119230(A1) |
申请公布日期 |
2015.07.09 |
申请号 |
DE201410119230 |
申请日期 |
2014.12.19 |
申请人 |
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY, LTD. |
发明人 |
CHEN, CHEN-SHIEN;CHEN, YU-FENG;LIN, YU-WEI;KUO, TIN-HAO;LIANG, YU-MIN;LIN, CHUN-HUNG |
分类号 |
H01L23/498;H01L21/60;H01L23/14;H01L23/50 |
主分类号 |
H01L23/498 |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
|
地址 |
|