| 摘要 |
<p>본 발명은 낮은 전압에서 동작 가능하고 전력 소모가 작은 상변화 물질을 포함하는 비휘발성 메모리 소자를 제공한다. 본 발명의 일실시예에 따른 비휘발성 메모리 소자는 하부 전극, 하부 전극 상에 전기적으로 연결되도록 위치하고, [As][GeSbTe]의 조성을 가지는 상변화 물질을 포함하는 상변화 물질층, 상변화 물질층 상에 전기적으로 연결되도록 위치하는 상부 전극을 포함한다. 여기에서, 0.001≤A≤0.3 이고, 0.001≤X≤0.3 이고, 0.001≤Y≤0.8 이고, 0.1≤Z≤0.8 이고, X+Y+Z=1 이다</p> |
