Eine Halbleiteranordnung und ein Verfahren zum Bilden der Gleichen werden beschrieben. Eine Halbleiteranordnung umfasst eine dritte Metallverbindung in Kontakt mit einer ersten Metallverbindung in einer ersten aktiven Region und eine zweite Metallverbindung in einer zweiten aktiven Region und ist über eine flache Grabenisolationsregion, die zwischen der ersten aktiven Region und der zweiten aktiven Region gebildet ist, gebildet. Ein Verfahren zum Bilden der Halbleiteranordnung umfasst ein Bilden einer ersten Öffnung über der ersten Metallverbindung, der STI Region und der zweiten Metallverbindung, und ein Bilden einer dritten Metallverbindung in der ersten Öffnung. Das Bilden der dritten Metallverbindung über der ersten Metallverbindung und der zweiten Metallverbindung verringert die RC Kopplung.
