| 摘要 |
<p>본 발명은 특히 3층 레지스트 프로세스용 하층막으로서 반사율을 저감할 수 있고(반사 방지막으로서의 최적인 n값, k값을 가지며), 매립 특성이 우수하며, 패턴 굽힘 내성이 높고, 특히 60 ㎚보다 가는 고아스펙트 라인에서의 에칭 후의 라인의 붕괴나 비틀림의 발생이 없는 하층막을 형성할 수 있는 레지스트 하층막 재료, 및 이것을 이용한 패턴 형성 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 이의 해결 수단은, 적어도 하기 일반식 (1-1) 및/또는 (1-2)로 표시되는 1종 이상의 화합물과, 하기 일반식 (2)로 표시되는 1종 이상의 화합물과, 하기 일반식 (3)으로 표시되는 1종 이상의 화합물 및/또는 그 등가체를 축합하는 것에 의해 얻어지는 폴리머를 함유하는 것을 특징으로 하는 레지스트 하층막 재료이다.</p> |
