发明名称 晶粒检测方法
摘要 一种晶粒检测方法,包含下列步骤:使用可调倍率的感光装置以第一视野扫描晶片的多个晶粒,以定位出晶粒的位置,其中感光装置具有第一倍率与大于第一倍率的第二倍率,第一倍率具有第一视野,第二倍率具有小于第一视野的第二视野。补偿至少一虚拟晶粒于晶粒间的至少一空缺位置。根据第二视野的大小计算其容纳晶粒的最大晶粒数。根据最大晶粒数与晶粒的位置指定部分晶粒为多个定位晶粒。根据定位晶粒的位置与第二视野的中心点位置推算出多个取像位置。调整感光装置的第一倍率至第二倍率。移动感光装置以第二视野沿取像位置检测晶粒。
申请公布号 CN104764478A 申请公布日期 2015.07.08
申请号 CN201410007957.9 申请日期 2014.01.03
申请人 致茂电子股份有限公司 发明人 罗文期;林裕超;李昆峰
分类号 G01D21/00(2006.01)I 主分类号 G01D21/00(2006.01)I
代理机构 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人 徐金国
主权项 一种晶粒检测方法,其特征在于,包含下列步骤:(a)使用可调倍率的一感光装置以一第一视野扫描一晶片的多个晶粒,以定位出所述晶粒的位置,其中该感光装置具有一第一倍率与大于该第一倍率的一第二倍率,该第一倍率具有该第一视野,该第二倍率具有小于该第一视野的一第二视野;(b)补偿至少一虚拟晶粒于所述晶粒间的至少一空缺位置;(c)根据该第二视野的大小计算其容纳所述晶粒的一最大晶粒数;(d)根据该最大晶粒数与所述晶粒的位置指定部分所述晶粒为多个定位晶粒;(e)根据所述定位晶粒的位置与该第二视野的中心点位置推算出多个取像位置;(f)调整该感光装置的该第一倍率至该第二倍率;以及(g)移动该感光装置以该第二视野沿所述取像位置检测所述晶粒。
地址 中国台湾桃园县龟山乡华亚科技园区华亚一路66号