调节多晶硅层表面沉积面积的方法

摘要

一种调节多晶硅层表面沉积面积的方法，包括：获取有源区、多晶硅和所有避让层的完整设计版图，标记出冗余区域；设定多晶硅层版图周长预设值；在冗余区域内填入横向宽度为w1、纵向长度为w2的重复矩形矩阵作为第一冗余多晶硅图形；计算出多晶硅设计版图的单位面积周长L0及第一冗余多晶硅图形的单位面积周长L1；实现第一冗余多晶硅图形在横向上的两两合并，合并一次得到单位面积周长为L2的第二冗余多晶硅图形，合并两次得到单位面积周长为L3的第三冗余多晶硅图形，合并n-1次后得到第n冗余多晶硅图形，根据公式确定第n冗余多晶硅图形的单位面积周长Ln的值，合并次数n-1满足使得Ln+L0的值最接近L的值的条件。

主权项

一种调节多晶硅层表面沉积面积的方法，其特征在于包括：第一步骤：获取有源区、多晶硅和所有避让层的完整设计版图，并通过逻辑运算标记出所有允许加入冗余多晶硅图形的冗余区域；第二步骤：设定多晶硅层版图周长预设值；第三步骤：根据设计版图的多晶硅局部密度在冗余区域内填入横向宽度为w1、纵向长度为w2的重复矩形矩阵作为第一冗余多晶硅图形，使得多晶硅层局部密度达到平坦化工艺要求；第四步骤：计算出多晶硅设计版图的单位面积周长L0以及第一冗余多晶硅图形的单位面积周长L1；第五步骤：通过版图逻辑运算实现第一冗余多晶硅图形在横向上的两两合并，合并一次得到单位面积周长为L2的第二冗余多晶硅图形，合并两次得到单位面积周长为L3的第三冗余多晶硅图形，合并n‑1次后得到第n冗余多晶硅图形，第n冗余多晶硅图形的单位面积周长Ln的值根据公式确定，其中合并次数n‑1满足使得Ln+L0的值最接近L的值的条件，将第n冗余多晶硅图形作为最终的冗余多晶硅图形。