| 发明名称 | 垂直结构LED芯片及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明揭示了一种垂直结构LED芯片的制造方法。包括：提供前端结构，所述前端结构包括蓝宝石衬底，依次形成于所述蓝宝石衬底上的掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、量子阱层和P型氮化镓层；在所述P型氮化镓层上形成功能层，并且将一键合衬底与所述功能层键合，以及去除蓝宝石衬底；进行掺杂氮化镓层的刻蚀，暴露出N型氮化镓层；对暴露出的N型氮化镓层进行表面粗化处理；形成氧化铝层作为保护层。本发明还提供由该方法获得的垂直结构LED芯片。本发明能够提高出光率，获得更好的出光角度，提高了垂直结构LED芯片的发光效率，提高了垂直结构LED芯片可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN104766912A | 申请公布日期 | 2015.07.08 |
| 申请号 | CN201510144485.6 | 申请日期 | 2015.03.30 |
| 申请人 | 映瑞光电科技（上海）有限公司 | 发明人 | 张宇;李起鸣;徐慧文 |
| 分类号 | H01L33/44(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/44(2010.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种垂直结构LED芯片的制造方法，包括：提供前端结构，所述前端结构包括蓝宝石衬底，依次形成于所述蓝宝石衬底上的掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、量子阱层和P型氮化镓层；在所述P型氮化镓层上形成功能层，并且将一键合衬底与所述功能层键合，以及去除蓝宝石衬底；进行掺杂氮化镓层的刻蚀，暴露出N型氮化镓层；对暴露出的N型氮化镓层进行表面粗化处理；形成氧化铝层作为保护层。 | ||
| 地址 | 201306 上海市浦东新区临港产业区鸿音路1889号 | ||