发明名称 |
一种磷酸硅玻璃薄膜的等离子体化学气相沉积方法 |
摘要 |
本发明提供了一种磷酸硅玻璃薄膜的等离子体化学气相沉积方法,其特征在于所述方法包括以下步骤:执行磷酸硅玻璃薄膜沉积的预步骤;磷酸硅玻璃薄膜沉积;其中,磷酸硅玻璃薄膜沉积的预步骤中通入一反应气体,反应气体为磷化氢气体,所述磷化氢气体的流量为50~100标况毫升/分钟。在本发明提供的磷酸硅玻璃薄膜的等离子体化学气相沉积方法中,通过降低反应气体磷化氢的流量,使得含磷量高的磷酸硅玻璃(P-rich PSG)膜层更加致密,磷酸硅玻璃(PSG)薄膜与含磷量高的磷酸硅玻璃(P-rich PSG)膜层的附着性更好,减少缺陷颗粒的产生,从而提高了产品的良率。 |
申请公布号 |
CN103255388B |
申请公布日期 |
2015.07.08 |
申请号 |
CN201310196276.7 |
申请日期 |
2013.05.23 |
申请人 |
上海华力微电子有限公司 |
发明人 |
陈建维;侯多源;张旭升 |
分类号 |
C23C16/30(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I |
主分类号 |
C23C16/30(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
陆花 |
主权项 |
一种磷酸硅玻璃薄膜的等离子体化学气相沉积方法,其特征在于所述方法包括以下步骤:执行磷酸硅玻璃薄膜沉积的预步骤;磷酸硅玻璃薄膜沉积;其中,所述磷酸硅玻璃薄膜沉积的预步骤包括:在反应腔体上形成含硅量高的氧化硅薄膜,所述含硅量高的氧化硅薄膜的折射率为1.5;在含硅量高的氧化硅膜层上形成氧化硅薄膜;在氧化硅膜层上形成含磷量高的磷酸硅玻璃薄膜,所述含磷量高的磷酸硅玻璃薄膜的含磷量为5%~7%;其中,含磷量高的磷酸硅玻璃薄膜沉积的步骤中通入一反应气体,反应气体为磷化氢气体,所述磷化氢气体的流量为50~100标况毫升/分钟。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号 |