发明名称 一种磷酸硅玻璃薄膜的等离子体化学气相沉积方法
摘要 本发明提供了一种磷酸硅玻璃薄膜的等离子体化学气相沉积方法,其特征在于所述方法包括以下步骤:执行磷酸硅玻璃薄膜沉积的预步骤;磷酸硅玻璃薄膜沉积;其中,磷酸硅玻璃薄膜沉积的预步骤中通入一反应气体,反应气体为磷化氢气体,所述磷化氢气体的流量为50~100标况毫升/分钟。在本发明提供的磷酸硅玻璃薄膜的等离子体化学气相沉积方法中,通过降低反应气体磷化氢的流量,使得含磷量高的磷酸硅玻璃(P-rich PSG)膜层更加致密,磷酸硅玻璃(PSG)薄膜与含磷量高的磷酸硅玻璃(P-rich PSG)膜层的附着性更好,减少缺陷颗粒的产生,从而提高了产品的良率。
申请公布号 CN103255388B 申请公布日期 2015.07.08
申请号 CN201310196276.7 申请日期 2013.05.23
申请人 上海华力微电子有限公司 发明人 陈建维;侯多源;张旭升
分类号 C23C16/30(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I 主分类号 C23C16/30(2006.01)I
代理机构 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人 陆花
主权项 一种磷酸硅玻璃薄膜的等离子体化学气相沉积方法,其特征在于所述方法包括以下步骤:执行磷酸硅玻璃薄膜沉积的预步骤;磷酸硅玻璃薄膜沉积;其中,所述磷酸硅玻璃薄膜沉积的预步骤包括:在反应腔体上形成含硅量高的氧化硅薄膜,所述含硅量高的氧化硅薄膜的折射率为1.5;在含硅量高的氧化硅膜层上形成氧化硅薄膜;在氧化硅膜层上形成含磷量高的磷酸硅玻璃薄膜,所述含磷量高的磷酸硅玻璃薄膜的含磷量为5%~7%;其中,含磷量高的磷酸硅玻璃薄膜沉积的步骤中通入一反应气体,反应气体为磷化氢气体,所述磷化氢气体的流量为50~100标况毫升/分钟。
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