发明名称 纳米二氧化硅表面羟基改性程度可测的改性方法
摘要 本发明涉及一种纳米二氧化硅表面羟基改性程度可测的改性方法,其包括以下步骤:(1)利用纳米SiO<sub>2</sub>和氨基硅烷偶联剂在60~80℃的无水甲苯溶液中,反应12h以上得到氨基改性的纳米SiO<sub>2</sub>,并通过控制氨基硅烷偶联剂的添加量来控制纳米SiO<sub>2</sub>表面氨基的含量;(2)利用过量的顺丁烯二酸酐与氨基改性的纳米SiO<sub>2</sub>反应,在所述纳米SiO<sub>2</sub>表面上接枝上具有反应活性的碳碳双键。采用本发明的两步改性方法,不仅可以根据需要在纳米SiO<sub>2</sub>表面可以定量的接枝上具有反应活性的碳碳双键,而且可以方便地通过控制含有氨基的硅烷偶联剂的量来控制接枝上的碳碳双键的含量。
申请公布号 CN104760962A 申请公布日期 2015.07.08
申请号 CN201510018171.1 申请日期 2015.01.15
申请人 西南石油大学 发明人 赖南君;唐雷;叶仲斌;王锦;周庆;周宁
分类号 C01B33/12(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;C08K9/06(2006.01)I;C08K9/04(2006.01)I;C08K3/36(2006.01)I 主分类号 C01B33/12(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种纳米二氧化硅表面羟基改性程度可测的改性方法,其特征在于包括以下步骤:(1)利用纳米SiO<sub>2</sub>和氨基硅烷偶联剂在60~80℃的无水甲苯溶液中,反应12h以上得到氨基改性的纳米SiO<sub>2</sub>,并通过控制氨基硅烷偶联剂的添加量来控制纳米SiO<sub>2</sub>表面氨基的含量;(2)利用过量的含碳碳双键的改性剂与氨基改性的纳米SiO<sub>2</sub>反应,在所述纳米SiO<sub>2</sub>表面上接枝上具有反应活性的碳碳双键。
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