一种金刚石表面真空离子镀硅膜的制作方法

摘要

本发明涉及金刚石表面处理技术领域，名称是一种金刚石表面真空离子镀硅膜的制作方法，它包括以下步骤：a、首先将金刚石置于真空离子镀膜机的镀膜室中，将镀膜室抽真空至2×10^-3Pa，用5KV离子源对金刚石清洁处理30分钟；b、用硅片作为真空离子镀膜机阴极靶材，调节真空离子镀膜机的参数为：电压是350—450V；直流电流是1.0A-1.2A；偏转电压是100—200V；高纯氩气流量是10—14毫升／秒；温度是280—320℃；并使金刚石处于移动翻转移动的状态，可以生产出镀硅膜的金刚石，并具有工艺简单的优点，生产出的镀硅膜金刚石还具有坚实性较强的优点。

主权项

一种金刚石表面真空离子镀硅膜的制作方法，它在金刚石真空镀膜机中进行，它包括以下步骤：a、首先将金刚石置于真空离子镀膜机的镀膜室中，将镀膜室抽真空至2×10^‑3Pa，用5KV离子源对金刚石清洁处理30分钟；b、用硅片作为真空离子镀膜机阴极靶材，调节真空离子镀膜机的参数为：电压：        350—450V；直流电流：    1.0A ‑ 1.2A；偏转电压：    100—200V；工作时间：    10800秒—12000秒；高纯氩气流量：10—14毫升／秒；温度：        温度280—320°C；并使金刚石处于移动翻转移动的状态，金刚石粉体为阳极。