| 发明名称 | 具有改善粘附性能和填充性能的钨层沉积方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种沉积钨(W)层的方法。该方法可以包括：对衬底进行预处理，以在衬底的表面上沉积SiH<sub>4</sub>源W膜；以及在经预处理的表面上沉积B<sub>2</sub>H<sub>6</sub>源W层。通过该方法，一方面可以实现优异的填充性能；另一方面，可以改善粘附性能。 | ||
| 申请公布号 | CN104766792A | 申请公布日期 | 2015.07.08 |
| 申请号 | CN201410003202.1 | 申请日期 | 2014.01.03 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 徐强;赵超;罗军;王桂磊;杨涛;李俊峰 |
| 分类号 | H01L21/285(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/285(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 倪斌 |
| 主权项 | 一种沉积钨(W)层的方法，包括：对衬底进行预处理，以在衬底的表面上沉积SiH<sub>4</sub>源W膜；以及在经预处理的表面上沉积B<sub>2</sub>H<sub>6</sub>源W层。 | ||
| 地址 | 100083 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||