背照式CMOS影像传感器的制造方法

摘要

本发明提供了一种背照式CMOS影像传感器的制造方法，通过所述电镀材料包括比例为4~6:3~9的加速剂及抑制剂，控制电镀层在沟槽各个位置的生长速度，防止沟槽过早封口；进一步的，通过电镀工艺分成三类执行，其中，第一类电镀工艺所形成的电镀层厚度为所述沟槽深度的1%~10%；第二类电镀工艺所形成的电镀层厚度为50%~95%；第三类电镀工艺所形成的电镀层厚度为2%~45%，从而使得电镀层依据在所述沟槽中的深度不同，渐次形成，保证了所形成的电镀层的质量，防止了所形成的接触孔中具有空洞。

主权项

一种背照式CMOS影像传感器的制造方法，其特征在于，包括：提供晶圆键合结构，所述晶圆键合结构包括键合在一起的逻辑晶圆及像素晶圆，所述晶圆键合结构中形成有沟槽；利用电镀工艺填充所述沟槽，其中，所述电镀材料包括铜及添加剂，所述添加剂包括加速剂及抑制剂，所述加速剂及抑制剂的比例为4～6:3～9；所述利用电镀工艺填充所述沟槽包括如下步骤：执行第一类电镀工艺，所述第一类电镀工艺所形成的电镀层厚度为所述沟槽深度的1％～10％；执行第二类电镀工艺，所述第二类电镀工艺所形成的电镀层厚度为所述沟槽深度的50％～95％；执行第三类电镀工艺，所述第三类电镀工艺所形成的电镀层厚度为所述沟槽深度的2％～45％；其中，执行第二类电镀工艺包括：执行第二类第一步电镀工艺，所述第二类第一步电镀工艺的工艺条件包括：转速：80转/分～100转/分；电流：6安培～8安培；工艺时间：80秒～100秒；执行第二类第二步电镀工艺，所述第二类第二步电镀工艺的工艺条件包括：转速：80转/分～100转/分；电流：12安培～15安培；工艺时间：100秒～150秒；执行第二类第三步电镀工艺，所述第二类第三步电镀工艺的工艺条件包括：转速：80转/分～100转/分；电流：25安培～30安培；工艺时间：20秒～50秒。