发明名称 |
晶圆级器件封装 |
摘要 |
本发明提供一种晶圆级封装的半导体器件,整个封装器件形成后才分离成单个器件。该半导体器件封装包括半导体芯片,有一个或多个焊盘与该芯片连接,还有一保护层连接在该半导体芯片之上。至少在半导体芯片的侧边缘和底表面上有一隔离层。有互连金属化凸点靠近该半导体芯片的一个或多个侧边缘,并电连接到至少一个焊盘上。一个小型化的图像传感器可以和数字信号处理器和存储器芯片以及透镜和保护盖垂直集成在一起。 |
申请公布号 |
CN102881666B |
申请公布日期 |
2015.07.08 |
申请号 |
CN201210295014.1 |
申请日期 |
2012.08.17 |
申请人 |
香港应用科技研究院有限公司 |
发明人 |
徐逸杰;杨丹;罗佩璁 |
分类号 |
H01L23/31(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I;H01L27/146(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/31(2006.01)I |
代理机构 |
深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 |
代理人 |
江耀纯 |
主权项 |
一种晶圆级封装的半导体器件,包括:半导体芯片,其包括一个或多个在其中形成的半导体器件;一个或多个与所述半导体芯片连接的焊盘;保护层,其通过所述一个或多个焊盘连接在所述半导体芯片之上,或通过位于所述焊盘上的中间层连接在所述半导体芯片之上;隔离层,其位于所述半导体芯片的至少一个侧边缘和底表面处;互连金属化凸点,其靠近一个或多个半导体芯片的侧边缘;图案化的隔离层,位于所述一个或多个焊盘的底部与所述互连金属化凸点之间,所述图案化的隔离层中沉积有金属层以形成凸点下金属化层,所述图案化的隔离层支撑所述凸点下金属化层;其中所述一个或多个焊盘是一个或多个电连接焊盘,其中所述互连金属化凸点通过所述凸点下金属化层电连接到所述一个或多个电连接焊盘中的至少一个。 |
地址 |
中国香港新界沙田香港科学园科技大道西二号生物资讯中心三楼 |