| 发明名称 | MOS晶体管隔离区制造方法及MOS晶体管 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种MOS晶体管隔离区制造方法及MOS晶体管。根据本发明的MOS晶体管隔离区制造方法包括：氧化物层形成步骤，用于在衬底上生成氧化物层；多晶硅层形成步骤，用于在所述氧化物层上生成多晶硅层；氮化硅层形成步骤，用于在所述多晶硅层上生成氮化硅层；刻蚀步骤，用于刻蚀所述多晶硅层和所述氮化硅层以形成与隔离区相对应的图案；以及隔离区形成步骤，用于通过生成氧化物来形成隔离区。通过采用根据本发明的MOS晶体管隔离区制造方法，能够在不降低MOS晶体管的性能的情况下减小鸟嘴区。 | ||
| 申请公布号 | CN102184869B | 申请公布日期 | 2015.07.08 |
| 申请号 | CN201110108295.0 | 申请日期 | 2011.04.28 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 邵丽 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种MOS晶体管隔离区制造方法，其特征在于，包括：氧化物层形成步骤，用于在衬底上生成氧化物层,所述氧化物层的厚度为100A至150A；多晶硅层形成步骤，用于在所述氧化物层上生成多晶硅层,所述多晶硅层的厚度为500A至700A；氮化硅层形成步骤，用于在所述多晶硅层上生成氮化硅层；刻蚀步骤，用于刻蚀所述多晶硅层和所述氮化硅层以形成与隔离区相对应的图案；以及隔离区形成步骤，用于通过生成氧化物来形成隔离区。 | ||
| 地址 | 201203 上海市张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||