发明名称 防止在电荷泵电路中的闭锁的半导体器件和方法
摘要 电荷泵电路包括衬底和在衬底中形成的第一阱区。第一晶体管包括布置在第一阱区中的第一和第二导电区。第二阱区在衬底中形成。第三阱区在第二阱区内形成。第二晶体管包括布置在第三阱区中的第一和第二导电区。第二阱区和第三阱区耦合到公共端子。公共端子接收局部电位,且第一阱区和第二阱区被共同维持在局部电位处。第一晶体管和第二晶体管在电荷泵单元内操作。多个电荷泵单元可以与耦合到第二电荷泵单元的输入的第一电荷泵单元的输出级联在一起。
申请公布号 CN104769717A 申请公布日期 2015.07.08
申请号 CN201380054122.2 申请日期 2013.10.02
申请人 商升特公司 发明人 丹尼尔·亚比斯卓;米切尔·雪弗莱
分类号 H01L27/06(2006.01)I 主分类号 H01L27/06(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 蒋骏;陈岚
主权项 一种电荷泵电路,包括:衬底;在所述衬底中形成的第一阱区;包括布置在所述第一阱区中的第一导电区和第二导电区的第一晶体管;在所述衬底中形成的第二阱区;在所述第二阱区内形成的第三阱区;以及包括布置在所述第三阱区中的第一导电区和第二导电区的第二晶体管,其中所述第二阱区和第三阱区耦合到公共端子以接收局部电位。
地址 美国加利福尼亚州