发明名称 |
一种具有较厚Au电极的制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种具有较厚Au电极的制备方法,电极结构为Ti/TiAu/Au,先将显影后的基片放入多靶共溅磁控溅射腔体中,装上Ti和Au靶材;然后对Ti靶材进行溅射,再同时对Ti和Au靶材进行溅射,再对Au靶材进行单独溅射,Au层的沉积厚度为50nm-1000nm;最后取出基片对其进行剥离,即制得所需Au电极。本发明的电极具有较厚的Au层,在高温退火后,仍具有优异的电传导性,且制备工艺简单、电极性能优良,具有良好的应用前景。 |
申请公布号 |
CN103401053B |
申请公布日期 |
2015.07.08 |
申请号 |
CN201310334120.0 |
申请日期 |
2013.07.31 |
申请人 |
天津大学 |
发明人 |
李玲霞;于仕辉;许丹;董和磊;金雨馨 |
分类号 |
H01P11/00(2006.01)I;H01B13/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01P11/00(2006.01)I |
代理机构 |
天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 |
代理人 |
张宏祥 |
主权项 |
一种具有较厚Au电极的制备方法,电极结构为Ti/TiAu/Au,具体制备步骤如下:(1)清洗基片及光刻显影a.将基片放入丙酮中超声清洗20分钟,用去离子水冲洗后烘干;b.将烘干后的基片放入酒精中清洗20分钟,用去离子水冲洗后用氮气吹干;c.将光刻胶旋涂在吹干的基片上,厚度1um~5um,烘干后使用光刻掩膜版做曝光处理;d.使用显影液将电极图形显影出来;(2)将步骤(1)显影后的基片放入多靶共溅磁控溅射腔体中,在一个溅射靶上装上Ti靶材,在另一个溅射靶上装上Au靶材;(3)当磁控溅射的真空度<1.0×10<sup>‑3</sup>Pa时,开始对Ti靶材进行溅射,Ti层的沉积厚度为20nm~200nm;(4)步骤(3)停止后,同时打开Ti靶和Au靶的溅射电源,同时对Ti靶材和Au靶材进行溅射,Ti、Au合金的沉积厚度为5nm~200nm;(5)步骤(4)停止后,打开Au靶的溅射电源,对Au靶材进行单独溅射,Au层的沉积厚度为50nm‑1000nm;(6)步骤(5)停止后,取出基片,对其进行剥离,剥离后即制得所需要的Au电极。 |
地址 |
300072 天津市南开区卫津路92号 |