发明名称 |
一种具有较低衰减系数的单模光纤 |
摘要 |
本发明涉及一种具有较低衰减系数的单模光纤,包括有芯层和包层,其特征在于所述的芯层半径r<sub>1</sub>为3.9~4.6μm,芯层相对折射率Δ1为0.08%~0.24%,芯层外从内向外依次包覆内包层,下陷内包层,辅助外包层和外包层,所述的内包层半径r<sub>2</sub>为8~15μm,相对折射率Δ2为-0.30%~-0.05%,所述的下陷内包层半径r<sub>3</sub>为14~20μm,相对折射率Δ3为-0.6%~-0.2%,所述的辅助外包层半径r<sub>4</sub>为35~50μm,相对折射率Δ4范围为-0.35%~-0.05%;所述外包层为纯二氧化硅玻璃层。本发明降低了光纤的衰减系数,并通过对光纤各芯包层剖面的合理设计,使光纤具有等于或大于8.7μm的MFD;本发明光纤剖面采用多层阶梯状下陷包层结构,具有较宽的下陷包层结构用于限制基模泄露,对光纤的弯曲损耗具有较好的改进作用。 |
申请公布号 |
CN104765098A |
申请公布日期 |
2015.07.08 |
申请号 |
CN201510209898.8 |
申请日期 |
2015.04.28 |
申请人 |
长飞光纤光缆股份有限公司 |
发明人 |
张磊;龙胜亚;王洋;王智勇;王瑞春 |
分类号 |
G02B6/02(2006.01)I;G02B6/036(2006.01)I |
主分类号 |
G02B6/02(2006.01)I |
代理机构 |
湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 |
代理人 |
胡建平 |
主权项 |
一种具有较低衰减系数的单模光纤,包括有芯层和包层,其特征在于所述的芯层半径r<sub>1</sub>为3.9~4.6μm,芯层相对折射率Δ1为0.08%~0.24%,芯层外从内向外依次包覆内包层,下陷内包层,辅助外包层和外包层,所述的内包层半径r<sub>2</sub>为8~15μm,相对折射率Δ2为‑0.30%~‑0.05%,所述的下陷内包层半径r<sub>3</sub>为14~20μm,相对折射率Δ3为‑0.6%~‑0.2%,所述的辅助外包层半径r<sub>4</sub>为35~50μm,相对折射率Δ4范围为‑0.35%~‑0.05%;所述外包层为纯二氧化硅玻璃层。 |
地址 |
430073 湖北省武汉市东湖新技术开发区光谷大道9号 |