| 发明名称 | 一种场效应晶体管的制备方法及相应场效应晶体管 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种场效应晶体管的制备方法及相应场效应晶体管，解决了现有技术中存在漏极位于衬底背面的场效应晶体管的导通损耗较大问题。该方法应用于漏极位于衬底背面的场效应晶体管，包括：在位于衬底正面的器件制备工序完成后，用保护膜覆盖衬底正面；对衬底背面进行减薄处理；对减薄后的衬底背面进行机械抛光处理，使衬底背面的表面粗糙度在预设范围内；对机械抛光后的衬底背面进行化学腐蚀及清洗；在化学腐蚀及清洗后的衬底背面上制备漏极电极。 | ||
| 申请公布号 | CN104766799A | 申请公布日期 | 2015.07.08 |
| 申请号 | CN201410006144.8 | 申请日期 | 2014.01.07 |
| 申请人 | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 | 发明人 | 赵圣哲 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人 | 黄志华 |
| 主权项 | 一种场效应晶体管的制备方法，所述场效应晶体管的漏极位于衬底背面，其特征在于，所述方法包括：在位于衬底正面的器件制备工序完成后，用保护膜覆盖衬底正面；对衬底背面进行减薄处理；对减薄后的衬底背面进行机械抛光处理，使衬底背面的表面粗糙度在预设范围内；对机械抛光后的衬底背面进行化学腐蚀及清洗；在化学腐蚀及清洗后的衬底背面上制备漏极电极。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区成府路298号方正大厦5层 | ||