| 发明名称 | 通过在HK HfO之前沉积Ti覆盖层改善RRAM的数据保持 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种阻变式随机存取存储器(RRAM)器件结构，其中，在沉积HK HfO电阻转换层之前沉积Ti金属覆盖层。这里，覆盖层位于HK HfO层的下方，从而不会在RRAM顶电极蚀刻期间造成损伤。覆盖层的外侧壁与HfO层的侧壁基本对齐，从而在将来的蚀刻步骤中可能发生的任何损伤将会发生在远离HK HfO层中的氧空位细丝(导电细丝)的覆盖层的外侧壁处。因此，本发明中的这种结构改善了数据保持。本发明公开了通过在HK HfO之前沉积Ti覆盖层改善RRAM的数据保持。 | ||
| 申请公布号 | CN104766925A | 申请公布日期 | 2015.07.08 |
| 申请号 | CN201410206669.6 | 申请日期 | 2014.05.15 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 廖钰文;朱文定;翁烔城 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I;G11C13/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;孙征 |
| 主权项 | 一种阻变式随机存取存储器(RRAM)器件，包括：可变电阻介电层，具有上表面和下表面；阴极，设置在所述可变电阻介电层的上方并且与所述上表面邻接；金属覆盖层，设置在所述可变电阻介电层的下方并且与所述下表面邻接；以及阳极，设置在所述金属覆盖层的下方。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||