等离子体处理装置和等离子体处理方法

摘要

本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法。在感应耦合型等离子体工艺中，采用简单的补正线圈自由且精细地控制等离子体的密度分布。在该感应耦合型等离子体处理装置中，在与RF天线(54)接近的电介质窗(52)之下炸面饼圈状地产生感应耦合等离子体，使该炸面饼圈状的等离子体分散在大的处理空间内，在基座(12)附近(即半导体晶片W上)使等离子体的密度平均化。并且，使基座(12)附近的等离子体密度分布在径向上均匀化，由补正环(70)对RF天线(54)产生的RF磁场实施电磁场的补正，而且能够根据工艺条件由开关机构(110)改变补正线圈(70)的通电占空比。

主权项

一种等离子体处理装置，包括：具有电介质窗的处理容器，配置在所述电介质窗之外的线圈状RF天线，在所述处理容器内保持被处理基板的基板保持部，为了对所述基板实施期望的等离子体处理，而将期望的处理气体供给至所述处理容器内的处理气体供给部，为了在所述处理容器内通过感应耦合而产生处理气体的等离子体，将适合处理气体高频放电的频率的高频电力供给至所述RF天线的高频供电部，为了控制所述处理容器内的所述基板上的等离子体密度分布，在能够通过电磁感应与所述RF天线耦合的位置、在所述处理容器之外配置的补正线圈，设置在所述补正线圈的环内的开关元件，和以期望的占空比，通过脉冲宽度调制对所述开关元件进行ON/OFF控制的开关控制部。