发明名称 |
制作快闪存储器元件的方法 |
摘要 |
本发明提供一种制作快闪存储器元件的方法,包括下列步骤。首先,提供基底。接着,在基底上形成堆叠栅结构。随后,在堆叠栅结构上形成第一氧化层。之后,在堆叠栅结构周围形成氮化物间隙壁,其中于形成第一氧化层之后且于形成氮化物间隙壁之前,进行氮原子导入处理。据此,本发明可利用此氮原子导入处理,改善快闪存储器元件的数据保存可靠度。 |
申请公布号 |
CN102222645B |
申请公布日期 |
2015.07.08 |
申请号 |
CN201010163870.2 |
申请日期 |
2010.04.15 |
申请人 |
联华电子股份有限公司 |
发明人 |
黄志仁;陈建宏 |
分类号 |
H01L21/8247(2006.01)I;H01L21/318(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/8247(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 11105 |
代理人 |
邱军 |
主权项 |
一种制作快闪存储器元件的方法,包括:提供基底;在该基底上形成堆叠栅结构;在该堆叠栅结构上形成第一氧化层;在该第一氧化层上进行自行对准源极蚀刻工艺;以及在该堆叠栅结构周围形成氮化物间隙壁,其中在该自行对准源极蚀刻工艺之后且在形成该氮化物间隙壁之前,对该基底具有该堆叠栅结构的一侧进行氮原子导入处理,其中在形成该第一氧化层之后且在形成该氮化物间隙壁之前,另包括在该基底中形成源极区,其中在形成该源极区之后且在形成该氮化物间隙壁之前,另包括在该堆叠栅结构上形成第二氧化层。 |
地址 |
中国台湾新竹科学工业园区 |