| 发明名称 | 半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的一个方式提供一种以高生产率制造电特性优良的半导体装置的方法。在第一条件下形成以低微粒密度具有高结晶性的混合相微粒的种子，然后在第二条件下以使混合相微粒生长来填埋混合相微粒之间的空隙的方式在种子上层叠形成微晶半导体膜。在第一条件中，将氢流量设定为含有硅或锗的沉积气体流量的50倍以上且1000倍以下来稀释沉积气体，并且将处理室内的压力设定为67Pa以上且1333Pa以下。在第二条件中，使含有硅或锗的沉积气体与氢的流量比周期性地增减并将其供应到处理室内，并且将处理室内的压力设定为1333Pa以上且13332Pa以下。 | ||
| 申请公布号 | CN102312220B | 申请公布日期 | 2015.07.08 |
| 申请号 | CN201110179764.8 | 申请日期 | 2011.06.28 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 小松立;神保安弘;宫入秀和 |
| 分类号 | C23C16/455(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/455(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人 | 周善来;李雪春 |
| 主权项 | 一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：在衬底上形成绝缘膜；在第一条件下将氢和沉积气体导入到第一处理室中来在所述绝缘膜上形成种子：氢的第一流量为所述沉积气体的第一流量的5.0×10<sup>1</sup>倍以上且1.0×10<sup>3</sup>倍以下；并且所述第一处理室中的第一压力为5.0×10<sup>‑1</sup>Torr以上且1.0×10<sup>1</sup>Torr以下；以及在第二条件下将氢和所述沉积气体导入到第二处理室中来在所述种子上形成微晶半导体膜：所述沉积气体的第二流量在第一值和第二值之间周期性地变化；并且所述第二处理室中的第二压力为1.0×10<sup>1</sup>Torr以上且1.0×10<sup>2</sup>Torr以下，其中，所述第一值相当于所述沉积气体的所述第一流量，并且，所述第二值比所述第一值低。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||