晕掺杂的双材料异质栅石墨烯条带场效应管

摘要

本发明是一种晕掺杂的双材料异质栅石墨烯条带场效应管，该场效应管整体为上下对称结构，从沟道中间向外上、下依次为石墨烯纳米条带（1）、覆盖石墨烯纳米条带的绝缘层（2）、位于绝缘层外的双栅（3），分为顶栅（31）和底栅（32），绝缘层的长度与石墨烯纳米条带（1）相同；在石墨烯纳米条带（1）的左右两端分别设有源极（4）、漏极（5），与源极、漏极相连的石墨烯纳米条带部分分别设有长度相同的源区（41）、漏区（51），源区（41）、漏区（51）均采用相同参数的N型重掺杂；石墨烯纳米条带中间部分为沟道区（7），沟道区（7）在靠近源区（4）一侧，设有HALO掺杂区（6），采用P型重掺杂，剩余沟道部分不掺杂；该种结构能有效改善器件的亚阈值性能，提高器件的高频特性。

主权项

一种晕掺杂的双材料异质栅石墨烯条带场效应管，其特征在于：该场效应管整体为上下对称结构，从沟道中间向外上、下依次为石墨烯纳米条带(1)、覆盖石墨烯纳米条带(1)的绝缘层(2)、位于绝缘层(2)外的双栅(3)，分为顶栅(31)和底栅(32)，绝缘层(2)的长度与石墨烯纳米条带(1)相同；在石墨烯纳米条带(1)的左右两端分别设有源极(4)、漏极(5)，与源极(4)、漏极(5)相连的石墨烯纳米条带部分分别设有长度相同的源区(41)、漏区(51)，源区(41)、漏区(51)均采用相同参数的N型重掺杂；石墨烯纳米条带(1)中间部分为沟道区(7)，沟道区(7)在靠近源区(41)一侧，设有HALO掺杂区(6)，采用P型重掺杂，剩余沟道部分不掺杂；沿沟道方向看，双栅(3)位于石墨烯纳米条带(1)的中间位置和沟道区长度相同，HALO掺杂区(6)位于双栅(3)区域内；所述双栅(3)分为顶栅(31)和底栅(32)，均采用异质栅结构，由两种功函数不同的导电金属材料构成，靠近源区(41)一侧的导电金属材料功函数高于靠近漏区的导电金属材料；在沟道区(7)紧邻源区(41)的位置，加入HALO掺杂区(6)，在HALO掺杂区(6)的区域内使用与源漏区掺杂类型不同的P型重掺杂。