发明名称 基于规则图形过滤的版图设计光刻工艺友善性检查方法
摘要 本发明提供了一种基于规则图形过滤的版图设计光刻工艺友善性检查方法,所述基于规则图形过滤的版图设计光刻工艺友善性检查方法通过在进行光学临近效应修正和工艺偏差图形模拟之前,增加对所述原始目标图形数据进行过滤的步骤,不仅能够缩短版图设计时光刻工艺友善性检查的耗时,减少软件和硬件的使用成本,而且检查结果与现有技术的方法能够实现很好的匹配,从而实现在版图设计中实现工艺热点区域的快速准确查找。
申请公布号 CN103744267B 申请公布日期 2015.07.08
申请号 CN201310625726.X 申请日期 2013.11.28
申请人 上海华力微电子有限公司 发明人 王伟斌;朱忠华;魏芳;张旭升
分类号 G03F7/20(2006.01)I 主分类号 G03F7/20(2006.01)I
代理机构 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人 陆花
主权项 一种基于规则图形过滤的版图设计光刻工艺友善性检查方法,其特征在于,提供原始目标图形数据,并对所述原始目标图形数据进行过滤,确定潜在工艺热点区域;将所述潜在工艺热点区域的图形数据产生光刻目标图形数据;对所述光刻目标图形数据进行完整的光学临近效应修正;对光学临近修正后的光刻目标图形进行工艺偏差图形模拟,模拟的区域范围与光学邻近效应修正的区域范围相同;进行热点检查,生成各项检查的热点位置标记;生成最终的热点位置索引文件;所述对所述原始目标图形数据进行过滤的步骤用以寻找存在线夹断、线连接、接孔不良及由于短延伸的L形状设计造成的晶体管沟道长度或者沟道宽度不均匀性的工艺热点区域;在对所述原始目标图形数据进行过滤的步骤包括,寻找所述原始目标图形数据中具有凸角或凹角的图形,对所述凸角或凹角的顶点进行切边,根据切边的受限情况生成矩形区域,进而生成潜在工艺热点区域。
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