| 发明名称 | 纳米级锂硅合金材料及其制备方法和用途 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种纳米级锂硅合金材料及其制备方法和用途，所述纳米级锂硅合金材料的组成包括：Li、Si以及掺杂元素；其中，Li和Si的摩尔比为1/100～5/1;所述纳米级锂硅合金材料中Li和Si的摩尔总含量大于等于90%;所述掺杂元素为B，C，N，F，Na，Mg，Al，P，Cu中的一种或多种；所述纳米级锂硅合金材料在任意一个维度上的尺寸为1nm至500nm。 | ||
| 申请公布号 | CN104766965A | 申请公布日期 | 2015.07.08 |
| 申请号 | CN201410003365.X | 申请日期 | 2014.01.03 |
| 申请人 | 中国科学院物理研究所 | 发明人 | 罗飞;刘柏男;李泓;褚赓;黄学杰;陈立泉 |
| 分类号 | H01M4/38(2006.01)I;H01M4/62(2006.01)I;H01G11/50(2013.01)I;B82Y30/00(2011.01)I | 主分类号 | H01M4/38(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京亿腾知识产权代理事务所 11309 | 代理人 | 李楠 |
| 主权项 | 一种纳米级锂硅合金材料，其特征在于，所述纳米级锂硅合金材料的组成包括：Li、Si以及掺杂元素；其中，Li和Si的摩尔比为1/100～5/1;所述纳米级锂硅合金材料中Li和Si的摩尔总含量大于等于90%;所述掺杂元素为B，C，N，F，Na，Mg，Al，P，Cu中的一种或多种；所述纳米级锂硅合金材料在任意一个维度上的尺寸为1nm至500nm。 | ||
| 地址 | 100190 北京市海淀区中关村南三街8号 | ||