| 发明名称 | 制造含硅薄膜的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种使用由Si<sub>n</sub>Cl<sub>2n+2</sub>(其中n是从约3至约10的整数)表示的氯硅烷化合物形成含硅薄膜的方法，特别在约560℃或以下的低温下，使用氨气通过原子层沉积法在包括凸起或具有高深宽比的凹陷的表面上可以形成具有均匀厚度的高品质碳氮化硅薄膜。 | ||
| 申请公布号 | CN104769705A | 申请公布日期 | 2015.07.08 |
| 申请号 | CN201380058326.3 | 申请日期 | 2013.11.07 |
| 申请人 | UP化学株式会社 | 发明人 | 韩元锡;高元勇 |
| 分类号 | H01L21/318(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/318(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人 | 樊英如;李献忠 |
| 主权项 | 一种用于形成含硅薄膜的方法，其包括：使包括由化学式Si<sub>n</sub>Cl<sub>2n+2</sub>(其中n是从3至10的整数)表示的氯硅烷化合物的气体和包括从由氮、氧、碳及它们的组合组成的群组中选择的元素的反应物气体接触包括具有1或更大的深宽比和1微米或1微米以下的宽度的至少一个沟槽的衬底。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||