发明名称 一种银碳化钨触头合金的制备方法
摘要 本发明公开了一种银碳化钨触头合金的制备方法,其工艺是通过真空等离子沉积设备将银碳化钨粉末直接沉积于铜触板或铜触桥表面,得到银碳化钨触头合金。通过此方法,可使合金中碳化钨的质量百分含量在60%范围内自由调节,并可简化银碳化钨触头合金的制备工艺,同时由于是在真空设备中制备,可显著提高银碳化钨工作层的致密度以及银碳化钨工作层与铜基体的结合强度。该制备方法的应用,对提高银碳化钨触头合金生产效率,降低制备成本,节约银资源具有重大意义。
申请公布号 CN103290359B 申请公布日期 2015.07.08
申请号 CN201310229598.7 申请日期 2013.06.08
申请人 西安工程大学 发明人 付翀;侯锦丽;王俊勃;杨敏鸽;贺辛亥;苏晓磊;刘松涛;胡新煜
分类号 C23C14/16(2006.01)I;C23C14/22(2006.01)I;H01H1/0233(2006.01)I 主分类号 C23C14/16(2006.01)I
代理机构 西安弘理专利事务所 61214 代理人 罗笛
主权项 一种银碳化钨触头合金的制备方法,其特征在于,具体按照以下步骤实施:步骤1、制备银碳化钨粉末:按质量百分比分别称取40%‑88%微米级Ag粉末和12%‑60%的微米级碳化钨粉末,以上两组分的质量百分比之和为100%,将称取的Ag粉末和碳化钨粉末放入高能球磨机中球磨混粉,然后在500℃下退火处理1h,得到银碳化钨粉末;所述的球磨,磨球为碳化钨球,磨球直径分别为20mm、10mm、6mm,并按1:2:1的数量配比,球料比为14~18:1,球磨转速为600~1000r/min,球磨时间为8~12h;步骤2、对铜触板或铜触桥基体材料进行粗化处理;步骤3、采用真空等离子沉积工艺进行沉积处理,将步骤1中制得的银碳化钨粉末沉积于经步骤2粗化处理的铜触板或铜触桥表面,制得银碳化钨触头合金;其中,真空室压力为1.2×10<sup>4</sup>Pa~1.8×10<sup>4</sup>Pa,电弧电压为65V~80V,电弧电流为450A~650A,氩气流量为2000L/h~3500L/h,氢气流量为1200L/h~2000L/h,送粉速度为25g/min~50g/min,喷涂距离为150mm~200mm。
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