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<p>엠보싱 형태의 도핑 프로파일을 갖는 에피 층을 구비한 픽셀 셀 및 이를 포함하는 이미지 센서가 개시된다. 픽셀 셀은 기판, 에피 층(epitaxial layer) 및 상기 에피 층 내에 형성된 광 변환 소자를 포함한다. 에피 층은 엠보싱 형태의 도핑 농도 프로파일을 갖고, 기판 상에 적층된 복수의 층으로 구성된다. 에피 층 내에 형성된 광변환 소자는 수직 방향으로 일정한 전위를 갖는 영역(neutral zone)을 포함하지 않는다. 따라서, 픽셀 셀은 주어진 에너지에서 블루밍이 없는 최대 깊이의 광변환 소자를 형성할 수 있으며, 픽셀 셀을 포함하는 이미지 센서는 양자효율을 증가시키고 광 변환 소자들 간의 크로스 토크를 줄일 수 있다.</p> |
