大直径直拉硅片的一种内吸杂工艺

摘要

本发明提供大直径直拉硅片的一种内吸杂工艺。本发明中的工艺包括如下依次的步骤：1）将硅片在惰性气氛下进行高温预处理，包括相继进行的较短时间（0.25～1小时）的高温（1150～1250℃）普通热处理和高温（1200～1250℃）快速热处理；2）在惰性气氛下进行低温普通热处理；3）在惰性气氛下进行高温普通热处理。大直径直拉硅片由于晶体生长的热历史很长，因此往往存在较多的原生氧沉淀（即：在晶体生长过程中必然形成的氧沉淀），若内吸杂工艺中的第一步仅仅是高温快速热处理，则在硅片体内形成的氧沉淀及其诱生缺陷的密度较低，导致硅片的吸杂能力不理想。利用本发明的工艺，可以在硅片体内形成高密度的氧沉淀及其诱生缺陷，并在硅片近表面区域形成洁净区。与内吸杂工艺中的第一步仅仅是高温快速热处理的情形相比，本工艺可以提高硅片的内吸杂能力并有效减少热预算。

主权项

大直径直拉硅片的一种内吸杂工艺，其特征在于包括以下步骤：1)  将硅片于惰性气氛下进行高温预处理，所述的高温预处理为：首先进行高温普通热处理，然后进行高温快速热处理；2)  将经步骤1)处理的硅片进行惰性气氛下的低温普通热处理；3)  将经步骤2)处理的硅片进行惰性气氛下的中高温普通热处理；所述的惰性气氛为氩气或氮气。