一种高取光率的高压LED芯片结构

摘要

本发明提供了一种高取光率的高压LED芯片结构，属于光电子发光器件领域。包括多个微晶粒单元，每个微晶粒单元包括衬底以及衬底上依次生长的N型氮化物层、发光层、P型氮化物层和透明导电层，所述N型氮化物层连接N型电极，所述透明导电层连接P型电极，所述各微晶粒单元之间由金属导电层连接形成串联或/和并联，所述金属导电层底面设有钝化层，其特征在于，所述高压LED芯片表面还设置涂覆层，所述涂覆层的表面是非平整的。本发明通过对表面涂覆层粗化处理形成非平整的结构，有效提高了高压LED芯片的取光效率及出光量，提升了高压LED芯片的性能，且成本低廉，操作简单。

主权项

一种高取光率的高压LED芯片结构，包括多个微晶粒单元，每个微晶粒单元包括衬底(1)以及衬底(1)上依次生长的N型氮化物层(2)、发光层(3)、P型氮化物层(4)和透明导电层(5)，所述N型氮化物层(2)连接N型电极(8)，所述透明导电层(5)连接P型电极(11)，所述各微晶粒单元之间由金属导电层(9)连接形成串联或/和并联，所述金属导电层(9)底面设有钝化层(10)，其特征在于，所述高压LED芯片表面还设置涂覆层，所述涂覆层的表面是非平整的。