发明名称 一种低功耗上电复位电路
摘要 本实用新型提供一种低功耗上电复位电路,包括:相互并联的两条支路,其中第一支路包括第一PMOS管,第一耗尽型MOS管和第二耗尽型MOS管,第一PMOS管的源极与电源相连接,栅极与漏极短接,第一耗尽型MOS管的漏极与第一PMOS管的漏极相连接,其节点作为第一节点;第一电容连接在第一节点与接地之间;第二支路具备共栅并联的第二PMOS管和第一NMOS管,第二PMOS管的源极与电源相连接,漏极与第一NMOS管的漏极相连接,该节点作为第二节点,用于输出第一复位信号;还包括第三PMOS管,第三PMOS管用于根据第一复位信号,锁定第一节点的电压。利用本实用新型的低功耗上电复位电路,采用电平触发方式产生复位信号,具有功耗低,抗干扰能力强的优点,弥补了现有技术的不足。
申请公布号 CN204465490U 申请公布日期 2015.07.08
申请号 CN201520149453.0 申请日期 2015.03.16
申请人 上海贝岭股份有限公司 发明人 李鹏;秦毅;丁学欣
分类号 H03K17/22(2006.01)I 主分类号 H03K17/22(2006.01)I
代理机构 北京金信知识产权代理有限公司 11225 代理人 刘锋;朱梅
主权项 一种低功耗上电复位电路,其特征在于,具备相互并联的两条支路,其中第一支路包括第一PMOS管,第一耗尽型MOS管和第二耗尽型MOS管,所述第一PMOS管的源极与电源相连接,栅极与漏极短接,所述第一耗尽型MOS管的漏极与所述第一PMOS管的漏极相连接,其节点作为第一节点,所述第二耗尽型MOS管的漏极与所述第一耗尽型MOS管的源极相连接,源极接地,所述第一耗尽型MOS管与所述第二耗尽型MOS管的栅极均连接地电位;第一电容,所述第一电容连接在所述第一节点与地之间;第二支路具备共栅并联的第二PMOS管和第一NMOS管,所述第二PMOS管的源极与电源相连接,漏极与所述第一NMOS管的漏极相连接,该节点作为第二节点,用于输出第一上电复位信号,栅极与所述第一节点相连接,所述第一NMOS管的栅极与所述第一节点相连接,源极接地;还包括第三PMOS管,所述第三PMOS管用于根据所述第一复位信号,锁定所述第一节点的电压,所述第三PMOS管的源极与电源相连接,漏极与所述第一节点相连接,栅极与所述第二节点相连接。
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