| 摘要 |
동일한 유전체층에 통합된 커패시터와 금속 배선을 갖는 반도체 구조물이 설명된다. 예를 들어, 반도체 구조물은 기판 내에 또는 그 위에 배치된 복수의 반도체 디바이스를 포함한다. 하나 이상의 유전체 층이 복수의 반도체 디바이스 위에 배치된다. 금속 배선은 유전체 층들 각각에 배치된다. 금속 배선은 반도체 디바이스들 중 하나 이상에 전기적으로 결합된다. 금속-절연체-금속(MIM; metal-insulator-metal) 커패시터는, 유전체 층들 중 적어도 하나의 금속 배선에 인접하여 유전체 층들 중 하나에 배치된다. MIM 커패시터는 반도체 디바이스들 중 하나 이상에 전기적으로 결합된다. |
