| 发明名称 |
垂直ＮＡＮＤチャンネルとこれを含む不揮発性メモリー装置、及び垂直ＮＡＮＤメモリー装置 |
| 摘要 |
A non-volatile memory device can include a plurality of immediately adjacent offset vertical NAND channels that are electrically coupled to a single upper select gate line or to a single lower select gate line of the non-volatile memory device. |
| 申请公布号 |
JP5745228(B2) |
申请公布日期 |
2015.07.08 |
| 申请号 |
JP20100028193 |
申请日期 |
2010.02.10 |
| 申请人 |
三星電子株式会社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． |
发明人 |
薛 光 洙;金 錫 必;朴 允 童 |
| 分类号 |
H01L21/8247;H01L21/336;H01L27/115;H01L29/788;H01L29/792 |
主分类号 |
H01L21/8247 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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