吡咯并吡咯二酮-并二噻吩聚合物及其制备方法与应用

摘要

本发明公开了一类吡咯并吡咯二酮-并二噻吩聚合物及其制备方法与其在场效应晶体管中的应用。所述吡咯并吡咯二酮-并二噻吩聚合物结构式如式Ⅰ所示。R¹和R²均独立地选自下述任意一种：C₁-C₁₂₀的直链或支链烷基。R³和R⁴均独立地选自下述任意一种：C₁-C₆₀的直链或支链烷基。本发明还提供了式Ⅰ所示聚合物的制备方法。本发明的合成路线简单高效，原料易得，宜于大规模合成。以本发明的吡咯并吡咯二酮-并二噻吩聚合物为有机半导体层制备的场效应晶体管的迁移率和开关比都比较高，迁移率最高为2.0cm²V^-1s^-1，开关比为10⁵。本发明的聚合物在有机场效应管器件中有良好的应用前景。。

主权项

式I所示聚合物：上述式Ⅰ中，R¹和R²均独立地选自下述任意一种：C₁‑C₁₂₀的直链或支链烷基；R³和R⁴均独立地选自下述任意一种：C₁‑C₆₀的直链或支链烷基；n为聚合度，n为10‑3000。