发明名称 |
内线转移CCD结构及其制作方法 |
摘要 |
一种内线转移CCD结构,包括硅衬底,所述硅衬底上邻近设置有转移区和光敏区,其创新在于:所述转移区范围内的硅衬底表面上设置有多晶硅转移栅,多晶硅转移栅表面覆盖有遮光层,遮光层表面淀积有回流层,所述回流层将光敏区覆盖;所述遮光层采用难熔金属或难熔金属合金制作。本发明的有益技术效果是:提出了一种新的内线转移CCD结构及制作方法,通过采用高熔点金属材料来替换铝,使遮光层可以直接形成于多晶硅转移栅上,降低器件漏光率。 |
申请公布号 |
CN104766873A |
申请公布日期 |
2015.07.08 |
申请号 |
CN201510174103.4 |
申请日期 |
2015.04.14 |
申请人 |
中国电子科技集团公司第四十四研究所 |
发明人 |
向鹏飞;姜华男;高建威;龙飞 |
分类号 |
H01L27/148(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/148(2006.01)I |
代理机构 |
重庆辉腾律师事务所 50215 |
代理人 |
侯懋琪 |
主权项 |
一种内线转移CCD结构,包括硅衬底(1),所述硅衬底(1)上邻近设置有转移区(A)和光敏区(B),其特征在于:所述转移区(A)范围内的硅衬底(1)表面上设置有多晶硅转移栅(2),多晶硅转移栅(2)表面覆盖有遮光层(3),遮光层(3)表面淀积有回流层(4),所述回流层(4)将光敏区(B)覆盖;所述遮光层(3)采用难熔金属或难熔金属合金制作。 |
地址 |
400060 重庆市南岸区花园路14号电子44所 |