发明名称 一种高速激光器驱动电路
摘要 本发明提供一种高速激光器驱动电路,包括输入缓冲级、信号放大级、输出驱动级、激光器电流源和直接调制激光器,所述输出驱动级包括输出放大器和晶体管,输入缓冲级的输出连接信号放大级的输入,信号放大级的输出连接输出放大器的输入,输出放大器的输出和晶体管相连接,所述晶体管为BJT晶体管或MOSFET晶体管,所述激光器电流源只设一个,该激光器电流源连接在电源和直接调制激光器的阳极之间或连接在直接调制激光器的阴极和地之间。本发明的激光器驱动器电路可用于直接驱动高速分布式反馈激光器等,降低目前的高速直接调制激光器驱动电路的设计难度。
申请公布号 CN104767117A 申请公布日期 2015.07.08
申请号 CN201510201460.5 申请日期 2015.04.24
申请人 湖北工业大学 发明人 赵楠;武明虎;熊炜;周先军;刘聪;朱莉;曾春艳
分类号 H01S5/042(2006.01)I 主分类号 H01S5/042(2006.01)I
代理机构 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 代理人 严彦
主权项 一种高速激光器驱动电路,其特征在于:包括输入缓冲级、信号放大级、输出驱动级、激光器电流源和直接调制激光器,所述输出驱动级包括输出放大器和晶体管,输入缓冲级的输出连接信号放大级的输入,信号放大级的输出连接输出放大器的输入,输出放大器的输出和晶体管相连接,所述晶体管为BJT晶体管或MOSFET晶体管,所述BJT晶体管为双极型晶体管,所述MOSFET晶体管为金属‑氧化物‑半导体场效应晶体管,当采用BJT晶体管时,BJT晶体管的集电极连接直接调制激光器的阳极,BJT晶体管的发射极连接直接调制激光器的阴极,输出放大器的输出连接BJT晶体管的基极;当采用MOSFET晶体管时,MOSFET晶体管的漏极连接直接调制激光器的阳极,MOSFET晶体管的源极连接直接调制激光器的阴极,输出放大器的输出连接MOSFET晶体管的栅极;所述激光器电流源只设一个,该激光器电流源连接在电源和直接调制激光器的阳极之间或连接在直接调制激光器的阴极和地之间。
地址 430068 湖北省武汉市武昌区南湖李家墩1村1号