发明名称 |
一种半导体器件的制造方法 |
摘要 |
本发明提供一种半导体器件的制造方法,包括:提供一个半导体衬底,在所述半导体衬底上形成有栅极结构;在所述半导体衬底中将要形成源/漏区的部分形成凹槽;对所述半导体衬底进行预非晶化注入,以在所述凹槽的底部形成非晶层;对包含有所述非晶层的半导体衬底进行各向异性的湿法蚀刻,以使所述凹槽的侧壁向器件沟道方向内凹从而形成∑状凹槽;退火使所述非晶层晶化,再进行第二次各向异性的湿法蚀刻,去除所述非晶层;在所述∑状凹槽中外延生长锗硅应力层。根据本发明,形成一种用于嵌入式锗硅应变MOS器件的∑状凹槽,在制作所述凹槽的过程中,采用预非晶化离子注入形成各向异性的湿法蚀刻的蚀刻阻挡层,可以减小微负载效应,提高蚀刻效率。 |
申请公布号 |
CN102832128B |
申请公布日期 |
2015.07.08 |
申请号 |
CN201110163473.X |
申请日期 |
2011.06.17 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
禹国宾 |
分类号 |
H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/336(2006.01)I |
代理机构 |
北京市磐华律师事务所 11336 |
代理人 |
董巍;顾珊 |
主权项 |
一种半导体器件的制造方法,包括:提供一个半导体衬底,在所述半导体衬底上形成有栅极结构;在所述半导体衬底中将要形成源/漏区的部分形成凹槽;对所述半导体衬底进行预非晶化注入,以在所述凹槽的底部形成非晶层作为后续实施的各向异性的湿法蚀刻的蚀刻阻挡层;对包含有所述非晶层的半导体衬底进行各向异性的湿法蚀刻,以使所述凹槽的侧壁向器件沟道方向内凹从而形成∑状凹槽;实施第二次各向异性的湿法蚀刻,去除所述非晶层;在所述∑状凹槽中外延生长锗硅应力层。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江路18号 |