| 发明名称 | 用于半导体基板的剥落 | ||
| 摘要 | 一种自半导体基板的锭剥落层的方法，其包含在该半导体基板的锭上形成金属层，其中在该金属层中的拉伸应力被配置为造成该锭内的开裂；并且在该开裂处自该锭移除该层。一种自半导体基板的锭剥落层的系统，其包含在该半导体基板的锭上形成金属层，其中在该金属层中的拉伸应力被配置为造成该锭内的开裂，且其中该层被配置为在该开裂处自该锭移除。 | ||
| 申请公布号 | CN102834901B | 申请公布日期 | 2015.07.08 |
| 申请号 | CN201180005693.8 | 申请日期 | 2011.02.16 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | S·W·比戴尔;K·E·弗盖尔;P·A·劳洛;D·萨达纳;D·沙杰地 |
| 分类号 | H01L21/304(2006.01)I;B28D5/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/304(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 金晓 |
| 主权项 | 一种从半导体基板的锭(201)剥落层(601)的方法，所述方法包括：在所述锭(201)上形成籽晶层(202)；在所述籽晶层(202)上直接形成粘着层(301)，其中所述粘着层包括镍Ni；在所述粘着层形成之后进行退火；在所述粘着层上形成金属层(501)，其中所述金属层中的拉伸应力被配置为造成在所述锭内的开裂(603)；以及在所述开裂处自所述锭(201)移除所述层(601)。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||