发明名称 成膜装置
摘要 提供一种对基材(W)的表面进行PVD处理而形成被膜、并且能够提高其厚度的均匀性的成膜装置(1)。该装置具备收容基材(W)的真空腔室(2)、设在其内壁面上的多个蒸发源、和一边支承多个基材(W)一边使上述基材(W)在真空腔室(2)内移动的基材支承部件(3)。多个蒸发源配置为在沿着台旋转中心轴的方向上排列,包括第1蒸发源和在其内侧相邻的第2蒸发源(4b、4c),所述第1蒸发源是与基材(W)的两端侧对置的蒸发源(4a、4d)中的至少一方。第1蒸发源配置为,比第2蒸发源更向基材(W)侧突出。
申请公布号 CN104769151A 申请公布日期 2015.07.08
申请号 CN201380059564.6 申请日期 2013.11.13
申请人 株式会社神户制钢所 发明人 藤井博文
分类号 C23C14/24(2006.01)I;C23C14/32(2006.01)I;B23P15/28(2006.01)I 主分类号 C23C14/24(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 朱美红;李婷
主权项 一种成膜装置,对多个基材的表面进行PVD处理,由此形成膜,所述成膜装置的特征在于,具备:真空腔室,收容上述多个基材;基材支承部件,设在上述真空腔室内,一边支承上述基材一边使上述基材在真空腔室内移动;和多个蒸发源,设在上述真空腔室的内壁面上,配置为,在与上述基材支承部件使上述基材移动的方向交叉的方向上成列排列;上述多个蒸发源包括第1蒸发源和第2蒸发源,所述第1蒸发源为该多个蒸发源中的分别位于该多个蒸发源排列的方向的两端的两个蒸发源的至少一方,所述第2蒸发源与该第1蒸发源相邻,上述第1蒸发源配置为,比上述第2蒸发源更向上述基材侧突出。
地址 日本兵库县神户市